光刻代工

可提供各种工艺短流程服务，包括窄线宽光刻,减薄，切割等，拥有先进的电子束直写光刻机，可提供纳米压印模板,深构透镜等加工服务。

SiC背面加工

SiC通孔刻蚀工艺是氮化镓基HEMT器件实现正面源垫间金属互连的关键工艺,其难点在于开孔尺寸50嗯的情况下实现100微米深的SiC通孔刻蚀,要求SiC通孔刻蚀后通孔底部,侧壁光滑,孔内无柱,沟GaN通孔刻蚀工艺相对SiC来说简单些,需刻蚀约2um的GaN材料层,要求刻蚀后通孔内干净,无Pillar,无Pit和Trench。